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光學(xué)顯微鏡
奧林巴斯顯微鏡
奧林巴斯BX53M顯微鏡微觀材料表征利器
奧林巴斯BX53M顯微鏡微觀材料表征利器金相顯微系統(tǒng)通過反射明暗場(chǎng)雙模式照明、半復(fù)消色差物鏡組及高分辨率數(shù)字成像的協(xié)同設(shè)計(jì),滿足了對(duì)材料微觀結(jié)構(gòu)高精度、高通量分析的需求。尤其在圖像融合(EDF)與大視野拼接技術(shù)上表現(xiàn)出色,為科研與工業(yè)質(zhì)檢提供了可靠的技術(shù)平臺(tái)。未來可進(jìn)一步探索偏振、熒光模塊的集成潛力。
產(chǎn)品分類
一、突破性光路設(shè)計(jì)與照明控制
雙模照明協(xié)同系統(tǒng)
軸向與離軸光路集成:明場(chǎng)照明采用同軸光路設(shè)計(jì),確保樣品表面反射光均勻捕獲;暗場(chǎng)模式通過環(huán)形光闌實(shí)現(xiàn)離軸照明,光線以超過物鏡數(shù)值孔徑的角度入射,僅捕捉樣品邊緣及缺陷的散射信號(hào),對(duì)比度提升300%以上。
智能光強(qiáng)管理:LED光源內(nèi)置12級(jí)亮度調(diào)節(jié)(0.1-100%范圍),配合自動(dòng)曝光算法,在明暗場(chǎng)切換時(shí)實(shí)現(xiàn)μs級(jí)光強(qiáng)自適應(yīng),避免高反光樣品過曝。
熱穩(wěn)定性光學(xué)架構(gòu)
鏡體采用零膨脹陶瓷基座,熱漂移系數(shù)<0.8μm/℃,確保長(zhǎng)時(shí)間觀測(cè)的焦平面穩(wěn)定性。
物鏡轉(zhuǎn)盤配備磁性定位系統(tǒng),切換重復(fù)定位精度達(dá)±0.5μm,消除機(jī)械磨損導(dǎo)致的像偏移。
二、物鏡光學(xué)性能飛躍
半復(fù)消色差技術(shù)深化
多波長(zhǎng)像差校正:在486nm(F線)、546nm(e線)、656nm(C線)實(shí)現(xiàn)三重色差補(bǔ)償,波長(zhǎng)偏移容差±15nm,色差殘留量<0.12%。
場(chǎng)曲控制突破:采用非球面透鏡組(3組5片結(jié)構(gòu)),視場(chǎng)邊緣分辨率損失從傳統(tǒng)物鏡的40%降至8%。
暗場(chǎng)專用光學(xué)增強(qiáng)
物鏡前組增加抗反射納米鍍膜(反射率<0.2%),有效抑制雜散光干擾,暗場(chǎng)信噪比提升至200:1。
工作距離優(yōu)化:20X物鏡WD增至4.2mm(傳統(tǒng)物鏡約3mm),支持更厚涂層樣品觀測(cè)。
三、三維顯微成像技術(shù)鏈
多模態(tài)數(shù)據(jù)融合
層析成像算法:通過焦點(diǎn)深度掃描(Z軸步進(jìn)0.1μm),采集256層圖像數(shù)據(jù),運(yùn)用SFF(Shape from Focus)算法重構(gòu)三維形貌,垂直分辨率達(dá)50nm。
明暗場(chǎng)數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián):同步獲取同區(qū)域BF/DF圖像,利用機(jī)器學(xué)習(xí)識(shí)別表面形貌與亞表面缺陷的映射關(guān)系。
大尺度全景分析
智能拼接引擎支持15×15網(wǎng)格自動(dòng)掃描,最大合成視野25mm2
動(dòng)態(tài)畸變校正:采用B樣條曲面擬合算法,消除圖像邊緣拉伸變形。
四、定量分析技術(shù)演進(jìn)
亞像素級(jí)測(cè)量體系
相機(jī)配備背照式CMOS,量子效率峰值83%,配合雙線性插值算法,尺寸測(cè)量分辨率達(dá)0.02像素。
多維校準(zhǔn)模式:支持網(wǎng)格標(biāo)定板(2D)、球體陣列(3D)雙基準(zhǔn)校準(zhǔn),空間線性
智能相分析系統(tǒng)
深度學(xué)習(xí)分割網(wǎng)絡(luò):基于U-Net架構(gòu)訓(xùn)練的材料相識(shí)別模型,對(duì)金屬夾雜物、陶瓷晶界的自動(dòng)識(shí)別準(zhǔn)確率>94%。
多參數(shù)統(tǒng)計(jì)引擎:同步輸出相面積占比、等效直徑、形狀因子等12項(xiàng)參數(shù),生成ASTM E112標(biāo)準(zhǔn)晶粒度報(bào)告。
技術(shù)應(yīng)用效能
在高溫合金析出相研究中,系統(tǒng)實(shí)現(xiàn):
原位觀測(cè):1500℃加熱臺(tái)環(huán)境下,持續(xù)捕獲γ'相粗化過程(時(shí)間分辨率1fps)
三維量化:對(duì)枝晶間σ相進(jìn)行體積重建(精度±0.8μm3),建立相變動(dòng)力學(xué)模型
缺陷關(guān)聯(lián)分析:通過暗場(chǎng)特征識(shí)別微裂紋萌生位點(diǎn),定位精度±2μm
結(jié)論
該反射明暗場(chǎng)顯微系統(tǒng)通過光路協(xié)同優(yōu)化、物鏡波前控制、三維重構(gòu)算法及智能分析框架四重技術(shù)突破,構(gòu)建了從納米級(jí)形貌解析到宏觀尺度統(tǒng)計(jì)的完整材料分析鏈。其核心價(jià)值在于:
解決高反光材料觀測(cè)痛點(diǎn),暗場(chǎng)靈敏度比傳統(tǒng)系統(tǒng)提升5倍
突破二維觀測(cè)局限,實(shí)現(xiàn)真三維微觀結(jié)構(gòu)定量化
建立材料性能-微觀結(jié)構(gòu)-制備工藝的數(shù)字化關(guān)聯(lián)模型
為先進(jìn)材料研發(fā)提供新一代基礎(chǔ)研究工具,推動(dòng)微觀表征從"觀察"向"預(yù)測(cè)"演進(jìn)。
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